В России запущено первое промпроизводство наногетероструктур на основе арсенида галлия

Производством займется АО «Экран-оптические системы». В России запущено первое промпроизводство наногетероструктур на основе арсенида галлияpixabay.com-

АО «Экран-оптические системы», опираясь на разработки Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова (ИФП) СО РАН, ввело в эксплуатацию установку молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Соответствующую информацию приводит пресс-служба РАТМ Холдинга. Объем инвестиция составляет 350 миллионов рублей. Денежные средства на реализацию проекта поступили от акционеров.

Генеральный директор АО «Экран-оптические системы» Андрей Гугучкин подчеркнул, что производительность установки МЛЭ фирмы RIBER, установленной на площадке ИФП, – до 10 тысяч пластин GaAs в год.

На сегодняшний день «ЭОС» является единственным предприятием в РФ, которое уже полностью готово поставлять своим заказчикам пластины GaAs для пассивных и активных устройств электронно-компонентной базы. В настоящее время такие пластины импортируются из Китая, Тайваня и Южной Кореи.

Гугучкин отметил, что наногетероструктуры GaAs необходимы для производства сотовых телефонов, мобильных 5G-сетей, преобразователей сигналов и другой подобной техники.

Объем выпускаемых изделий в денежном эквиваленте при условии достижения показателей первого этапа составит 350-400 миллионов рублей ежегодно, а второго этапа – до 1,2-1,5 миллиардов рублей; третьего – до 3 миллиардов рублей.

Источник